固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈，可用于创建自定义 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。通风和空调 （HVAC） 设备、从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。还需要散热和足够的气流。